K9F4G08U0F-5IB0 - 4 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps FBGA 63 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample

Référence fabricant

K9F4G08U0F-5IB0

Numéro de pièce interne

AX-K9F4G08U0F-5IB0

Fabricant

Samsung Semiconductor

Brève description

4 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps FBGA 63 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample

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Spécifications pour K9F4G08U0F-5IB0

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : K9F4G08U0F-5IB0

Fabricant : Samsung Semiconductor

La description : 4 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps FBGA 63 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample

Séries : DDR3

Densité : 4 Gb

Org. : x8

Gamme CCV : 2.7 ~ 3.6 V

I / O Vitesse : 40 Mbps

Type d'emballage : FBGA

Nombre de broches : 63

Temp. : -40 ~ 85 °C

ECC : On-Chip ECC

État du produit : Sample

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : K9F4G , K9F4G08

Documents pour K9F4G08U0F-5IB0

Feuilles de données : K9F4G08U0F-5IB0.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.