AS4C16M16D1-5BINTR - IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C16M16D1-5BINTR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C16M16D1-5BINTR
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR
Taille mémoire : 256Mb (16M x 16)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 700ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-TFBGA (8x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C16M16D1-5BINTR
Feuilles de données : AS4C16M16D1-5BINTR.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 75PF 30KV AXIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 3000PF 10KV. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 16KV SCREW. | ||
| AVX Corporation | CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL. | ||
| Murata Electronics North America | CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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