QJD1210010 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-QJD1210010
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour QJD1210010
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : QJD1210010
Fabricant : Powerex Inc.
La description : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 800V
Puissance - Max : 1080W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour QJD1210010
Feuilles de données : QJD1210010.pdf
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