TSM2312CX RFG - MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
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Brève description
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TSM2312CX RFG
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TSM2312CX RFG
Fabricant :
Taiwan Semiconductor Corporation
La description :
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 4.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
11.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
750mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-23
Paquet / caisse :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TSM2312CX RFG
Feuilles de données :
TSM2312CX RFG.pdf
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Vishay Beyschlag |
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