NTMFS4C09NT1G - MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NTMFS4C09NT1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NTMFS4C09NT1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
10.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1252pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NTMFS4C09NT1G
Feuilles de données :
NTMFS4C09NT1G.pdf
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