IS61DDB21M18A-300M3L - IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
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IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IS61DDB21M18A-300M3L
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IS61DDB21M18A-300M3L
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description : IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : SRAM
La technologie : SRAM - Synchronous, DDR II
Taille mémoire : 18Mb (1M x 18)
Fréquence d'horloge : 300MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.71V ~ 1.89V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 165-LBGA
Package d'appareils du fournisseur : 165-LFBGA (13x15)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IS61DD , IS61DDB21M
Documents pour IS61DDB21M18A-300M3L
Feuilles de données : IS61DDB21M18A-300M3L.pdf
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