IPD65R1K4CFDATMA1 - MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Référence fabricant

IPD65R1K4CFDATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPD65R1K4CFDATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPD65R1K4CFDATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD65R1K4CFDATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 262pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 28.4W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD65 , IPD65R1K

Documents pour IPD65R1K4CFDATMA1

Feuilles de données : IPD65R1K4CFDATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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