SIHB12N60ET1-GE3 - MOSFET N-CH 600V 12A TO263
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Brève description
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIHB12N60ET1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SIHB12N60ET1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Séries :
E
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
937pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
147W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-263 (D²Pak)
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SIHB12N60ET1-GE3
Feuilles de données :
SIHB12N60ET1-GE3.pdf
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