SIS990DN-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
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MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
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Spécifications pour SIS990DN-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIS990DN-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 50V
Puissance - Max : 25W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8 Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SIS990DN-T1-GE3
Feuilles de données : SIS990DN-T1-GE3.pdf
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