PHW80NQ10T,127 - MOSFET N-CH 100V 80A SOT429

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MOSFET N-CH 100V 80A SOT429
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Spécifications pour PHW80NQ10T,127

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PHW80NQ10T,127
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 100V 80A SOT429
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 109nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4720pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 263W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PHW8 , PHW80NQ

Documents pour PHW80NQ10T,127

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