BSC079N10NSGATMA1 - MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Référence fabricant

BSC079N10NSGATMA1

Numéro de pièce interne

AX-BSC079N10NSGATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BSC079N10NSGATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSC079N10NSGATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13.4A (Ta), 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 110µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5900pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 156W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSC07 , BSC079N1

Documents pour BSC079N10NSGATMA1

Feuilles de données : BSC079N10NSGATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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