FDMS2D4N03S - MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN

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MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN
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Spécifications pour FDMS2D4N03S

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDMS2D4N03S
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 163A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6540pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 75W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-PQFN (5x6), Power56
Paquet / caisse : 8-PowerSMD, Flat Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDM , FDMS2

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Feuilles de données : FDMS2D4N03S.pdf

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