FQI11P06TU - MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FQI11P06TU
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FQI11P06TU
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FQI11P06TU
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
Séries :
QFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
11.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3.13W (Ta), 53W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FQI11P06TU
Feuilles de données :
FQI11P06TU.pdf
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