AON6912ALS_102 - MOSFET N-CH

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MOSFET N-CH
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AON6912ALS_102

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AON6912ALS_102
Fabricant : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description : MOSFET N-CH
Séries : -
Statut de la pièce : Last Time Buy
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
La technologie : -
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.7 mOhm @ 10A, 10V, 7.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : Standard
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN-EP (5x6)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : AON6 , AON6912

Documents pour AON6912ALS_102

Feuilles de données : AON6912ALS_102.pdf

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