RE1J002YNTCL - MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

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MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RE1J002YNTCL

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RE1J002YNTCL
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 0.9V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 26pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : EMT3F (SOT-416FL)
Paquet / caisse : SC-89, SOT-490
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RE1J , RE1J00

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Feuilles de données : RE1J002YNTCL.pdf

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