IPD122N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Référence fabricant

IPD122N10N3GBTMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPD122N10N3GBTMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

15744 Pieces

Prix de référence

~~USD 0~~

Notre prix

- (Veuillez nous contacter pour un meilleur prix: [email protected])

AX Semiconductor a IPD122N10N3GBTMA1 en stock à vendre. Nous pouvons vous expédier dans les 1-2 jours. Veuillez nous contacter pour un meilleur prix pour IPD122N10N3GBTMA1. Notre email: [email protected]

Options et délais de livraison:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Options de paiement:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Spécifications pour IPD122N10N3GBTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD122N10N3GBTMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 59A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 46A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 46µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 94W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD12 , IPD122N1

Documents pour IPD122N10N3GBTMA1

Feuilles de données : IPD122N10N3GBTMA1.pdf

Produits associés pour IPD122N10N3GBTMA1 Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV AXIAL.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF135242WP30238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 20KV SCREW.
WF125405WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 16KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
WF125300WJ76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WX110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 16KV SCREW.
WF135285WP50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.