NTBS2D7N06M7 - NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM

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NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NTBS2D7N06M7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NTBS2D7N06M7
Fabricant : ON Semiconductor
La description : NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6655pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 176W (Tj)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NTBS , NTBS2D

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Feuilles de données : NTBS2D7N06M7.pdf

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