IXFB210N30P3 - MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264

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MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
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Spécifications pour IXFB210N30P3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFB210N30P3
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Séries : HiPerFET™, Polar3™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 300V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 210A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 268nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 16200pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1890W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PLUS264™
Paquet / caisse : TO-264-3, TO-264AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXFB , IXFB21

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Feuilles de données : IXFB210N30P3.pdf

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