NVMFD5485NLWFT1G - MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
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Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NVMFD5485NLWFT1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NVMFD5485NLWFT1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
44 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
560pF @ 25V
Puissance - Max :
2.9W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NVMFD5485NLWFT1G
Feuilles de données :
NVMFD5485NLWFT1G.pdf
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