IS43TR16256A-15HBLI - IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IS43TR16256A-15HBLI
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IS43TR16256A-15HBLI
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description : IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR3
Taille mémoire : 4Gb (256M x 16)
Fréquence d'horloge : 667MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 20ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.425V ~ 1.575V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 96-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 96-TWBGA (9x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IS43TR16256A-15HBLI
Feuilles de données : IS43TR16256A-15HBLI.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| EPCOS (TDK) | CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 40KV. | ||
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