SCT3080KLGC11 - MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
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MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SCT3080KLGC11
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SCT3080KLGC11
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 800V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 165W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247N
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SCT3080KLGC11
Feuilles de données : SCT3080KLGC11.pdf
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