FDMC4435BZ-F126 - MOSFET P-CH 30V 8.5A
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Brève description
MOSFET P-CH 30V 8.5A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDMC4435BZ-F126
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDMC4435BZ-F126
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET P-CH 30V 8.5A
Séries :
PowerTrench®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
8.5A (Ta), 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2045pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.3W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-MLP (3.3x3.3)
Paquet / caisse :
8-PowerWDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDMC4435BZ-F126
Feuilles de données :
FDMC4435BZ-F126.pdf
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