IPB80N06S2L06ATMA1 - MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Référence fabricant

IPB80N06S2L06ATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPB80N06S2L06ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPB80N06S2L06ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPB80N06S2L06ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 69A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 180µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3800pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 250W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3-2

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPB80N , IPB80N06S

Documents pour IPB80N06S2L06ATMA1

Feuilles de données : IPB80N06S2L06ATMA1.pdf

Produits associés pour IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
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WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8400PF 18KV.
PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.