IGO60R070D1AUMA1 - IC GAN FET 600V 60A 20DSO

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IC GAN FET 600V 60A 20DSO
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IGO60R070D1AUMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IGO60R070D1AUMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IC GAN FET 600V 60A 20DSO
Séries : CoolGaN™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 2.6mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 125W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-DSO-20-85
Paquet / caisse : 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IGO60 , IGO60R07

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Feuilles de données : IGO60R070D1AUMA1.pdf

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