HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
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IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HGT1S10N120BNST
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : HGT1S10N120BNST
Fabricant : ON Semiconductor
La description : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 35A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max : 298W
Énergie de commutation : 320µJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : 100nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 23ns/165ns
Condition de test : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur : TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour HGT1S10N120BNST
Feuilles de données : HGT1S10N120BNST.pdf
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