SI1051X-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
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MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI1051X-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI1051X-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
122 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
9.45nC @ 5V
Vgs (Max) :
±5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
560pF @ 4V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
236mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SC-89-6
Paquet / caisse :
SOT-563, SOT-666
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI1051X-T1-GE3
Feuilles de données :
SI1051X-T1-GE3.pdf
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