BUK7C3R1-80EJ - MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
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MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BUK7C3R1-80EJ
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BUK7C3R1-80EJ
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK-7
Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BUK7C3R1-80EJ
Feuilles de données : BUK7C3R1-80EJ.pdf
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