SI8902AEDB-T2-E1 - N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
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N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI8902AEDB-T2-E1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI8902AEDB-T2-E1
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 24V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 5.7W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-UFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI8902AEDB-T2-E1
Feuilles de données : SI8902AEDB-T2-E1.pdf
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