SI8902AEDB-T2-E1 - N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
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Brève description
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI8902AEDB-T2-E1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI8902AEDB-T2-E1
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
24V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Puissance - Max :
5.7W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-UFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI8902AEDB-T2-E1
Feuilles de données :
SI8902AEDB-T2-E1.pdf
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