GSID600A120S4B1 - SILICON IGBT MODULES
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Numéro de pièce interne
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Brève description
SILICON IGBT MODULES
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GSID600A120S4B1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GSID600A120S4B1
Fabricant : Global Power Technologies Group
La description : SILICON IGBT MODULES
Séries : Amp+™
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : -
Configuration : Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 1130A
Puissance - Max : 3060W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 600A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 51nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : Yes
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour GSID600A120S4B1
Feuilles de données : GSID600A120S4B1.pdf
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