DGD2101MS8-13 - IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
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IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DGD2101MS8-13
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DGD2101MS8-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : Half-Bridge
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH : 0.8V, 2.5V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 290mA, 600mA
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 600V
Temps de montée / descente (type) : 70ns, 35ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DGD2101MS8-13
Feuilles de données : DGD2101MS8-13.pdf
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