SI8445DB-T2-E1 - MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
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MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
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Spécifications pour SI8445DB-T2-E1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI8445DB-T2-E1
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 84 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 5V
Vgs (Max) : ±5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 4-Microfoot
Paquet / caisse : 4-XFBGA, CSPBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI8445DB-T2-E1
Feuilles de données : SI8445DB-T2-E1.pdf
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