W949D2DBJX5E - IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-W949D2DBJX5E
Fabricant
Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
134335 Pieces
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Spécifications pour W949D2DBJX5E
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
W949D2DBJX5E
Fabricant :
Winbond Electronics
La description :
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire :
512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge :
200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
5ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement :
-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
90-VFBGA (8x13)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour W949D2DBJX5E
Feuilles de données :
W949D2DBJX5E.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
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AVX Corporation |
CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 25KV R85. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Murata Electronics North America |
CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402. |
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Vishay Beyschlag |
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CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 3300PF 100V BX 0805. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. |
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|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R |