DMT10H017LPD-13 - MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50

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MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
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Spécifications pour DMT10H017LPD-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMT10H017LPD-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.4 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28.6nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1986pF @ 50V
Puissance - Max : 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI5060-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMT10 , DMT10H0

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Feuilles de données : DMT10H017LPD-13.pdf

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