SQP100P06-9M3L_GE3 - MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
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Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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Spécifications pour SQP100P06-9M3L_GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SQP100P06-9M3L_GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Séries :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
12010pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
187W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220AB
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SQP100P06-9M3L_GE3
Feuilles de données :
SQP100P06-9M3L_GE3.pdf
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