NVMFS5C645NLAFT1G - MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN

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MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN
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Spécifications pour NVMFS5C645NLAFT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NVMFS5C645NLAFT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NVMFS , NVMFS5C6

Documents pour NVMFS5C645NLAFT1G

Feuilles de données : NVMFS5C645NLAFT1G.pdf

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