TH58NYG3S0HBAI4 - 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
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8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TH58NYG3S0HBAI4
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TH58NYG3S0HBAI4
Fabricant : Toshiba Memory America, Inc.
La description : 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Non-Volatile
Format de mémoire : FLASH
La technologie : FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire : 8Gb (1G x 8)
Fréquence d'horloge : -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 25ns
Temps d'accès : 25ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 63-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 63-TFBGA (9x11)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TH58NYG3S0HBAI4
Feuilles de données : TH58NYG3S0HBAI4.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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| Vishay Vitramon | CAP CER 1000PF 100V BP 1206. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 100PF 16KV DISK. | ||
| KEMET | CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 20KV SCREW. | ||
| EPCOS (TDK) | CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 16KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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