DMN3033LSNQ-13 - MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

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MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
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Spécifications pour DMN3033LSNQ-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN3033LSNQ-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.4W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SC-59
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN3 , DMN3033

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Feuilles de données : DMN3033LSNQ-13.pdf

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