MT40A256M16GE-083E AUT:B - IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
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Fabricant
Brève description
IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour MT40A256M16GE-083E AUT:B
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MT40A256M16GE-083E AUT:B
Fabricant :
Micron Technology Inc.
La description :
IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR4
Taille mémoire :
4Gb (256M x 16)
Fréquence d'horloge :
1.2GHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
-
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.14V ~ 1.26V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 125°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
96-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
96-FBGA (14x9)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Liens connexes :
MT40A256 , MT40A256M16G
Documents pour MT40A256M16GE-083E AUT:B
Feuilles de données :
MT40A256M16GE-083E AUT:B.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 7500PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. |