SI5499DC-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
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MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI5499DC-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI5499DC-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 8V
Vgs (Max) : ±5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1290pF @ 4V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 1206-8 ChipFET™
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI5499DC-T1-GE3
Feuilles de données : SI5499DC-T1-GE3.pdf
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