FDMS8050ET30 - MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN

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MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
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Spécifications pour FDMS8050ET30

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDMS8050ET30
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 55A (Ta), 423A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.65 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 750µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 285nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 22610pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Power56
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDMS , FDMS80

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Feuilles de données : FDMS8050ET30.pdf

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