NVMFS5C604NLAFT3G - MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN

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MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
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Spécifications pour NVMFS5C604NLAFT3G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NVMFS5C604NLAFT3G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 287A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8900pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 200W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NVMFS , NVMFS5C6

Documents pour NVMFS5C604NLAFT3G

Feuilles de données : NVMFS5C604NLAFT3G.pdf

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