IRF7701TR - MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF7701TR
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRF7701TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRF7701TR
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5050pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP
Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRF7701TR
Feuilles de données : IRF7701TR.pdf
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