IXTN550N055T2 - MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

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MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
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Spécifications pour IXTN550N055T2

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTN550N055T2
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
Séries : GigaMOS™, TrenchT2™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 550A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 595nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 40000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 940W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-227B
Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXTN , IXTN55

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Feuilles de données : IXTN550N055T2.pdf

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