STB11NM60-1 - MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STB11NM60-1
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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61420 Pieces
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Spécifications pour STB11NM60-1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
STB11NM60-1
Fabricant :
STMicroelectronics
La description :
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Séries :
MDmesh™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
160W (Tc)
Température de fonctionnement :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
I2PAK
Paquet / caisse :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour STB11NM60-1
Feuilles de données :
STB11NM60-1.pdf
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