RJK6011DJE-00#Z0 - MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
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MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RJK6011DJE-00#Z0
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
RJK6011DJE-00#Z0
Fabricant :
Renesas Electronics America
La description :
MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
Séries :
-
Statut de la pièce :
Last Time Buy
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
3.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
25pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
900mW (Ta)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-92(1)
Paquet / caisse :
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour RJK6011DJE-00#Z0
Feuilles de données :
RJK6011DJE-00#Z0.pdf
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