DMN61D9UW-7 - MOSFET N-CH 60V 0.34A

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MOSFET N-CH 60V 0.34A
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Spécifications pour DMN61D9UW-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN61D9UW-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 60V 0.34A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 340mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 28.5pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 320mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-323
Paquet / caisse : SC-70, SOT-323
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN , DMN61

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Feuilles de données : DMN61D9UW-7.pdf

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