CTLDM8120-M621H BK - MOSFET P-CH 20V DFN6
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MOSFET P-CH 20V DFN6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour CTLDM8120-M621H BK
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CTLDM8120-M621H BK
Fabricant : Central Semiconductor Corp
La description : MOSFET P-CH 20V DFN6
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 950mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.56nC @ 4.5V
Vgs (Max) : 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 16V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TLM621H
Paquet / caisse : 6-XFDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour CTLDM8120-M621H BK
Feuilles de données : CTLDM8120-M621H BK.pdf
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