FDMS8622 - MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN

Référence fabricant

FDMS8622

Numéro de pièce interne

AX-FDMS8622

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDMS8622

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDMS8622

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 31W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-PQFN (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDMS

Documents pour FDMS8622

Feuilles de données : FDMS8622.pdf

Produits associés pour FDMS8622 ON Semiconductor

Numéro d'article	Marque	La description
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