STI23NM60N - MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STI23NM60N
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour STI23NM60N
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STI23NM60N
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
Séries : MDmesh™ II
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2050pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I2PAK
Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour STI23NM60N
Feuilles de données : STI23NM60N.pdf
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