IXFQ12N80P - MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Référence fabricant

IXFQ12N80P

Numéro de pièce interne

AX-IXFQ12N80P

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXFQ12N80P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFQ12N80P

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Séries : HiPerFET™, PolarHT™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 360W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3P

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFQ1

Documents pour IXFQ12N80P

Feuilles de données : IXFQ12N80P.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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